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台积电官宣“铋”密武器!IBM的2nm芯片迎来第一波挑战

发布日期:2022-05-14 05:36   来源:未知   阅读:

  · 江西为乡村振兴注入人才“活水”,前不久,IBM率先突破3nm极限,推出全球首款2nm 工艺芯片,在整个科技圈引发了热烈讨论。而就在这一消息传出还不到一个月的时间里,台积电发文称其1nm以下制程取得了重大突破。

  目前,半导体制作的主流材料是硅,而当前半导体主流制程进展到5nm和3nm节点,晶片单位面积能容纳的电晶体数目已经逼近硅的物理极限了,晶片效能也无法再逐年显著提升。因此,近年科学界积极寻找能取代硅的二维材料。

  若要挑战1nm以下的制程,解决二维材料高电阻及低电流等问题是重中之重。惊喜的是,在台大、台积电和MIT开启跨国合作一年半之后,终于找到了这把钥匙:在“二维材料”上搭配“半金属铋(Bi)”的电极,能大幅降低电阻并提高传输电流。

  台积电表示,在技术研究部门的努力之下,将“铋(Bi)沉积制程”优化之后,再运用“氦离子束微影系统”,最终成功将元件通道缩小到纳米尺寸,取得突破性研究进展。